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1N6113A

更新时间: 2024-09-15 22:37:43
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 109K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

1N6113A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.29其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:19 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:2 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:15.2 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6113A 数据手册

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1N6113A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTX1N6113A MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6113A MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

与1N6113A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,