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JANTX1N6113A

更新时间: 2024-11-16 11:22:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
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2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANTX1N6113A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.44其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:18 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压:15.2 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

JANTX1N6113A 数据手册

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JANTX1N6113A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N6113A MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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JANTX1N6114 MICROSEMI

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JANTX1N6114A MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 16.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE
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500 W Transient Voltage Suppressor
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