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JAN1N6104

更新时间: 2024-11-21 11:20:59
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
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2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JAN1N6104 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.41最小击穿电压:7.4005 V
击穿电压标称值:8.2 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:12.5 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W认证状态:Qualified
最大重复峰值反向电压:6.2 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JAN1N6104 数据手册

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JAN1N6104 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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