JAN1N6105AUS

更新时间： 2024-11-18 13:08:59

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美高森美 - MICROSEMI		瞬态抑制器二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	110K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

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JAN1N6105AUS 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-MELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.84
最小击穿电压：	8.65 V	击穿电压标称值：	9.1 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	13.4 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-MELF-R2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	5 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压：	6.9 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N6105AUS	MICROSEMI	类似代替	Voidless-Hermetically-Sealed Surface Mount Bidirectional Transient Suppressors

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN1N6105US	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER
JAN1N6106	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 7.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
JAN1N6106	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6106A	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6106A	SENSITRON	获取价格	500 W Transient Voltage Suppressor
JAN1N6106AUS	SENSITRON	获取价格	500 W Transient Voltage Suppressor SM
JAN1N6106US	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 7.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
JAN1N6107	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6107	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 8.4V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HERM
JAN1N6107A	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS