5秒后页面跳转
JAN1N6108 PDF预览

JAN1N6108

更新时间: 2024-11-18 11:20:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JAN1N6108 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.42Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY最小击穿电压:11.35 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/516最大重复峰值反向电压:9.1 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JAN1N6108 数据手册

 浏览型号JAN1N6108的Datasheet PDF文件第2页 

JAN1N6108 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N6108 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

与JAN1N6108相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N6108A MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6108A SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9.1V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HERM
JAN1N6108A SENSITRON

获取价格

500 W Transient Voltage Suppressor
JAN1N6108AUS SENSITRON

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
JAN1N6108AUS SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER
JAN1N6108US SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER
JAN1N6109 MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6109 SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9.9V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HERM
JAN1N6109A MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6109A SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9.9V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HERM