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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | MELF | 包装说明： | O-MELF-R2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.42 | 最小击穿电压： | 15.2 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-MELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 5 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/516 | 最大重复峰值反向电压： | 12.2 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N6112 | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JAN1N6112 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 13.7V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER |
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| JAN1N6112A | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JAN1N6112A | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 13.7V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER |
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| JAN1N6112A | SENSITRON |
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500 W Transient Voltage Suppressor |
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| JAN1N6112AUS | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 13.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE |
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| JAN1N6112AUS | SENSITRON |
获取价格 |
500 W Transient Voltage Suppressor SM |
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| JAN1N6112US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 13.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| JAN1N6113 | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JAN1N6113 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15.2V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER |
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