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JAN1N6106US

更新时间: 2024-11-18 13:08:59
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 110K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 7.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

JAN1N6106US 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:O-MELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.42
最小击穿电压:9.5 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-MELF-R2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):225
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压:7.6 V表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:20Base Number Matches:1

JAN1N6106US 数据手册

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