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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 最小击穿电压： | 7.79 V |
| 击穿电压标称值： | 8.2 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大钳位电压： | 12.1 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 3 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/516 |
| 最大重复峰值反向电压： | 6.2 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N6104AUS | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon |
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| JAN1N6104US | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| JAN1N6105 | MICROSEMI |
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BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JAN1N6105 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon |
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| JAN1N6105A | MICROSEMI |
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BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JAN1N6105A | SENSITRON |
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500 W Transient Voltage Suppressor |
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| JAN1N6105AUS | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| JAN1N6105AUS | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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| JAN1N6105AUS | SENSITRON |
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500 W Transient Voltage Suppressor SM |
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| JAN1N6105US | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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