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1N6104

更新时间: 2024-02-28 20:04:57
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 109K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

1N6104 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.33
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:7.4 V击穿电压标称值:8.2 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:12.1 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:2 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:6.2 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6104 数据手册

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1N6104 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N6104 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6104 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTX1N6104 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

与1N6104相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6104A STMICROELECTRONICS

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600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, GLASS, CB-431, 2 PIN
1N6104A SEMTECH

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1N6104A MICROSEMI

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BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
1N6104A SENSITRON

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TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSER DIODES
1N6104A NJSEMI

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Diode TVS Single Bi-Dir 6.2V 500W 2-Pin
1N6104AE3 MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS
1N6104AS SENSITRON

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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
1N6104AUS SEMTECH

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500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)
1N6104AUS MICROSEMI

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Voidless-Hermetically-Sealed Surface Mount Bidirectional Transient Suppressors
1N6104AUS NJSEMI

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Diode TVS Single Bi-Dir 6.2V 500W 2-Pin SMD