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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 最小击穿电压： | 8.19 V |
| 击穿电压标称值： | 9.1 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大钳位电压： | 14 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 6.9 V |
| 最大反向电流： | 20 µA | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6105AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS |
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| 1N6105APHR | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode |
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| 1N6105APPBF | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode |
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| 1N6105AUS | MICROSEMI |
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Voidless-Hermetically-Sealed Surface Mount Bidirectional Transient Suppressors |
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| 1N6105AUS | NJSEMI |
获取价格 |
Diode TVS Single Bi-Dir 6.9V 500W 2-Pin SMD |
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| 1N6105AUS | SENSITRON |
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Transient Voltage Suppressor Diode, 500W |
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| 1N6105AUS | SEMTECH |
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500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US) |
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| 1N6105AUSE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 6.9V V(RWM), Bidirectional, |
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| 1N6105AUSS | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 1N6105AUSV | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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