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1N6104US

更新时间： 2024-11-18 20:17:55

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
6页	440K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, E-MELF-2

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1N6104US 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：	7.4 V	击穿电压标称值：	8.2 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	12.1 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	6.2 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JAN1N6104US	MICROSEMI	完全替代	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
JANTX1N6104US	MICROSEMI	完全替代	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, MICRO MINIATURE,

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6104X	SENSITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
1N6105	NJSEMI	获取价格	500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
1N6105	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
1N6105	SEMTECH	获取价格	500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
1N6105	SENSITRON	获取价格	500 W Transient Voltage Suppressor
1N6105A	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
1N6105A	SENSITRON	获取价格	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSER DIODES
1N6105A	SEMTECH	获取价格	QPL 500 Watt Axial Leaded TVS
1N6105A	STMICROELECTRONICS	获取价格	600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, GLASS, CB-431, 2 PIN
1N6105A	NJSEMI	获取价格	Diode TVS Single Bi-Dir 6.9V 500W 2-Pin