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1N6105A

更新时间: 2024-11-17 22:34:59
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 109K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

1N6105A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.32Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY最小击穿电压:8.65 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:6.9 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6105A 数据手册

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1N6105A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N6105A MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTX1N6105A MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6105A MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

与1N6105A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6105AE3 MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS
1N6105APHR DIGITRON

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Trans Voltage Suppressor Diode
1N6105APPBF DIGITRON

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Trans Voltage Suppressor Diode
1N6105AUS MICROSEMI

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Voidless-Hermetically-Sealed Surface Mount Bidirectional Transient Suppressors
1N6105AUS NJSEMI

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1N6105AUS SENSITRON

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Transient Voltage Suppressor Diode, 500W
1N6105AUS SEMTECH

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500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)
1N6105AUSE3 MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 6.9V V(RWM), Bidirectional,
1N6105AUSS SENSITRON

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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
1N6105AUSV SENSITRON

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,