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JANTXV1N6105A

更新时间: 2024-02-18 16:20:44
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
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2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANTXV1N6105A 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-XELF-N2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.28最小击穿电压:8.19 V
击穿电压标称值:9.1 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:13.4 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-XELF-N2最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.5 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/516最大重复峰值反向电压:6.9 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:NO LEAD
端子位置:ENDBase Number Matches:1

JANTXV1N6105A 数据手册

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