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JANTXV1N6108AUS

更新时间: 2024-01-03 14:00:10
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, MICRO MINIATURE, GLASS, MELF-2

JANTXV1N6108AUS 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-XELF-N2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.28Is Samacsys:N
最小击穿电压:10.8 V击穿电压标称值:12 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:17.3 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-XELF-N2
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.5 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压:9.1 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:NO LEAD端子位置:END
Base Number Matches:1

JANTXV1N6108AUS 数据手册

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