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JANTXV1N6110US

更新时间： 2024-11-18 14:30:07
品牌 Logo 应用领域
商升特 - SEMTECH /
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 11.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

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JANTXV1N6110US 技术参数

生命周期：Active包装说明：O-XELF-N2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.27Is Samacsys：N
最小击穿电压：13.5 V击穿电压标称值：15 V
外壳连接：ISOLATED最大钳位电压：22 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-XELF-N2
最大非重复峰值反向功率耗散：500 W元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：1.5 W
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压：11.4 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：ZENER
端子形式：NO LEAD端子位置：END
Base Number Matches：1

JANTXV1N6110US 数据手册

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1N6102US thru 1N6137US  
1N6103AUS thru 1N6137AUS  
500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)  
POWER DISCRETES  
Description  
Features  
Quick reference data  
u Low dynamic impedance  
u Hermetically sealed non-cavity construction  
u 500 watt peak pulse power  
u 1.5W continuous  
VBR MIN = 6.12 -180V  
VRWM = 5.2 - 152V  
VC (max)= 11 - 273V  
I(BR) 1N6102 - 1N6137 = 5mA - 175mA  
These products are qualified to MIL-PRF-19500/516  
and are preferred parts as listed in MIL-HDBK-5961.  
They can be supplied fully released as JANTX,  
JANTXV and JANS versions.  
Electrical Specifications  
Electrical specifications @ TA = 25°C unless otherwise specified.  
Device  
Type  
Minimum  
Test  
Working  
Maximum Maximum Maximum  
Clamping Pk. Pulse  
Temp.  
Coeff. of  
V(BR)  
Maximum  
Reverse  
Current  
Breakdown Current Pk. Reverse Reverse  
Voltage  
V(BR) @ I(BR)  
I(BR)  
Voltage  
VRWM  
Current  
IR1  
Voltage  
VC @ IP  
Current IP  
TP = 1mS  
α
IR2 @ 150°C  
(VZ)  
Volts  
6.12  
mA  
Volts  
5.2  
µA  
Volts  
11.0  
Amps  
45.4  
%/ °C  
0.05  
µA  
1N6102  
175  
100  
4,000  
1N6103  
1N6103A  
1N6104  
1N6104A  
1N6105  
1N6105A  
1N6106  
1N6106A  
1N6107  
1N6107A  
1N6108  
1N6108A  
1N6109  
1N6109A  
1N6110  
6.75  
7.13  
7.38  
7.79  
8.19  
8.65  
9.0  
175  
175  
150  
150  
150  
150  
125  
125  
125  
125  
100  
100  
100  
100  
75  
5.7  
5.7  
6.2  
6.2  
6.9  
6.9  
7.6  
7.6  
8.4  
8.4  
9.1  
9.1  
9.9  
9.9  
11.4  
11.4  
12.2  
12.2  
50  
50  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
11.8  
11.2  
12.7  
12.1  
14.0  
13.4  
15.2  
14.5  
16.3  
15.6  
17.7  
16.9  
19.0  
18.2  
21.9  
21.0  
23.4  
22.3  
42.4  
44.6  
39.4  
41.3  
35.7  
37.3  
32.9  
34.5  
30.7  
32.0  
28.2  
29.6  
26.3  
27.5  
22.8  
23.8  
21.4  
22.4  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.07  
0.07  
0.07  
0.07  
0.07  
0.07  
0.08  
0.08  
0.08  
0.08  
0.08  
0.08  
750  
750  
500  
500  
300  
300  
200  
200  
200  
200  
150  
150  
150  
150  
100  
100  
100  
100  
9.50  
9.9  
10.45  
10.8  
11.4  
11.7  
12.35  
13.5  
14.25  
14.4  
15.2  
1N6110A  
1N6111  
75  
75  
1N6111A  
75  
Revision: February 2010  
1
www.semtech.com  
1234

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JANTXV1N6110US 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN1N6110US SEMTECH

完全替代

 Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 11.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
JANTX1N6110US SEMTECH

完全替代

 Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 11V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
1N6110US SEMTECH

完全替代

 500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N6111 MICROSEMI

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 		BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
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 		BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
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