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JANTXV1N6114

更新时间: 2024-11-05 11:23:51
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANTXV1N6114 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.43Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY最小击穿电压:20.85 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/516最大重复峰值反向电压:16.7 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JANTXV1N6114 数据手册

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JANTXV1N6114 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX1N6114 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6114 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANS1N6114 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 16.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE
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500 W Transient Voltage Suppressor SM
JANTXV1N6114US SEMTECH

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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 16.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE
JANTXV1N6115 MICROSEMI

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JANTXV1N6115A MICROSEMI

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500 W Transient Voltage Suppressor
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 18.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE