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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XELF-N2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.28 | Is Samacsys： | N |
| 最小击穿电压： | 16.2 V | 击穿电压标称值： | 18 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大钳位电压： | 26.5 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-XELF-N2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1.5 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/516 |
| 最大重复峰值反向电压： | 13.7 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ZENER |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N6112AUS | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, MICRO MINIATURE, |
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| JANTXV1N6112US | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| JANTXV1N6113 | MICROSEMI |
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BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JANTXV1N6113A | MICROSEMI |
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BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JANTXV1N6113A | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE |
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| JANTXV1N6113AUS | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE |
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| JANTXV1N6113US | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE |
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| JANTXV1N6114 | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 16.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE |
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| JANTXV1N6114 | MICROSEMI |
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BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JANTXV1N6114A | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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