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JANTXV1N6109

更新时间: 2024-02-19 11:36:13
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
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2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANTXV1N6109 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.28
最小击穿电压:12.35 V击穿电压标称值:13 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:19 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-MELF-R2
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:9.9 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:WRAP AROUND
端子位置:ENDBase Number Matches:1

JANTXV1N6109 数据手册

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