是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.34 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 最小击穿电压: | 12.35 V |
击穿电压标称值: | 13 V | 外壳连接: | ISOLATED |
最大钳位电压: | 19 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 500 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 2 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 9.9 V | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTXV1N6109 | MICROSEMI |
完全替代 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS | |
JANTX1N6109 | MICROSEMI |
完全替代 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS | |
JAN1N6109 | MICROSEMI |
完全替代 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N6109A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode TVS Single Bi-Dir 9.9V 500W 2-Pin | |
1N6109A | SEMTECH |
获取价格 |
QPL 500 Watt Axial Leaded TVS | |
1N6109A | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS | |
1N6109A | SENSITRON |
获取价格 |
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSER DIODES | |
1N6109A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, GLASS, CB-431, 2 PIN | |
1N6109A.TR | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon | |
1N6109AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9.9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS | |
1N6109APHR | DIGITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode | |
1N6109APPBF | DIGITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode | |
1N6109AS | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |