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1N6109

更新时间: 2024-11-15 22:52:23
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 109K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

1N6109 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.34Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY最小击穿电压:12.35 V
击穿电压标称值:13 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:19 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:9.9 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6109 数据手册

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1N6109 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N6109 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTX1N6109 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6109 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

与1N6109相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6109A NJSEMI

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1N6109A SEMTECH

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BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
1N6109A SENSITRON

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1N6109A STMICROELECTRONICS

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600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, GLASS, CB-431, 2 PIN
1N6109A.TR SEMTECH

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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon
1N6109AE3 MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9.9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS
1N6109APHR DIGITRON

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Trans Voltage Suppressor Diode
1N6109APPBF DIGITRON

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Trans Voltage Suppressor Diode
1N6109AS SENSITRON

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,