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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.34 |
| 最小击穿电压： | 12.35 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6109AE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 9.9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS |
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| 1N6109APHR | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode |
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| 1N6109APPBF | DIGITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode |
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| 1N6109AS | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 1N6109AUS | MICROSEMI |
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Voidless-Hermetically-Sealed Surface Mount Bidirectional Transient Suppressors |
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| 1N6109AUS | SEMTECH |
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500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US) |
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| 1N6109AUS | SENSITRON |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressor Diode, 500W |
|
| 1N6109AUSE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 9.9V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 1N6109AUSV | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 1N6109AUSX | SENSITRON |
获取价格 |
暂无描述 |
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