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JANTXV1N6110

更新时间: 2024-02-19 00:46:13
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANTXV1N6110 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:O-MELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.68
Is Samacsys:N最小击穿电压:14.25 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-MELF-R2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/516最大重复峰值反向电压:11.4 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JANTXV1N6110 数据手册

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