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JANS1N6110

更新时间: 2024-02-05 18:52:51
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANS1N6110 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.42
其他特性:HIGH RELIABILITY最小击穿电压:14.2 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2 W认证状态:Qualified
最大重复峰值反向电压:11.4 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

JANS1N6110 数据手册

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