5秒后页面跳转
JANS1N6112 PDF预览

JANS1N6112

更新时间: 2024-01-01 18:33:11
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANS1N6112 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.42Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY最小击穿电压:17.05 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2 W认证状态:Qualified
最大重复峰值反向电压:13.7 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JANS1N6112 数据手册

 浏览型号JANS1N6112的Datasheet PDF文件第2页 

与JANS1N6112相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANS1N6112A MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANS1N6112A SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 13.7V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER
JANS1N6112A SENSITRON

获取价格

500 W Transient Voltage Suppressor
JANS1N6112AUS SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 13.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE
JANS1N6112AUS SENSITRON

获取价格

500 W Transient Voltage Suppressor SM
JANS1N6112US MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon,
JANS1N6112US SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon,
JANS1N6113 MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANS1N6113 SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15.2V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER
JANS1N6113A MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS