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JANS1N6110A PDF预览

JANS1N6110A

更新时间: 2024-01-17 13:57:49
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器
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2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANS1N6110A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.38其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:14.25 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:2 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压:11.4 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JANS1N6110A 数据手册

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JANS1N6110A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N6110A MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

与JANS1N6110A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANS1N6111 SEMTECH

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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12.2V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HER
JANS1N6111A MICROSEMI

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500 W Transient Voltage Suppressor
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