JAN1N6103A

更新时间： 2024-11-19 23:15:31

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		瞬态抑制器二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	109K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JAN1N6103A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-XALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.88
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：	7.13 V	击穿电压标称值：	7.5 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	11.2 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	3 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压：	5.7 V	最大反向电流：	50 µA
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N6103A	MICROSEMI	完全替代	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN1N6103AUS	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
JAN1N6104	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6104	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.2V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HERM
JAN1N6104A	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6104A	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.2V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HERM
JAN1N6104AUS	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
JAN1N6104US	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
JAN1N6105	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6105	SEMTECH	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.9V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
JAN1N6105A	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS