5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.45 |
| 最小击穿电压： | 6.7735 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 3 W |
| 认证状态： | Qualified | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANS1N6103 | MICROSEMI |
完全替代  |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| JANTXV1N6103 | MICROSEMI |
完全替代 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| JANTX1N6103 | MICROSEMI |
完全替代 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N6103A | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| JAN1N6103A | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon |
|
| JAN1N6103AUS | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon |
|
| JAN1N6104 | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| JAN1N6104 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.2V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HERM |
|
| JAN1N6104A | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| JAN1N6104A | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.2V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, HERM |
|
| JAN1N6104AUS | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon |
|
| JAN1N6104US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| JAN1N6105 | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
