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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.61 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| JEDEC-95代码： | TO-226AA | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| J211L18 | VISHAY |
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Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-226AA |
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| J211L-18 | VISHAY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| J211L18-1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J211L18-2 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J211L-2-18 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J211L-2TA | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J211L-2TR1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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| J211L-E3 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| J211LTA | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| J211LTR | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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