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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| J212_SOT-23 | MICROSS |
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N-CHANNEL JFET |
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| J212_TO-92 | MICROSS |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET |
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| J212D26Z | FAIRCHILD |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| J212D27Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| J212D74Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| J212D75Z | FAIRCHILD |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| J212-E3 | VISHAY |
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Transistor |
|
| J212J05Z | TI |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL |
|
| J212J18Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| J212J18Z | TI |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL |
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