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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.90.00.00 | 风险等级： | 5.22 |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 135 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| J212-TR1 | VISHAY |
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Transistor |
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| J212-TR1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| J212TR2 | CALOGIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| J212TR3 | CALOGIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| J212-TR3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| J212-TR3-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| J212TR4 | CALOGIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| J212-TR5 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| J212-TR5-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| J212-TR6 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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