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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.63 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| J212J18Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| J212J18Z | TI |
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RF SMALL SIGNAL |
|
| J212L | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-2 |
|
| J212L-1-18 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
|
| J212L18 | VISHAY |
获取价格 |
Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-226AA |
|
| J212L-18 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| J212L18-1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
|
| J212L-1TA | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
|
| J212L-1TR1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
|
| J212L-2-18 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A |
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