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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.61 | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | JUNCTION | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| J211-D74Z | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 RF 晶体管 |
|
| J211D75Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| J211D75Z | TI |
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RF SMALL SIGNAL |
|
| J211-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| J211J05Z | TI |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL |
|
| J211J18Z | TI |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL |
|
| J211J18Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| J211L | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-2 |
|
| J211L18 | VISHAY |
获取价格 |
Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-226AA |
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| J211L-18 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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