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J211-D74Z

更新时间： 2024-09-27 11:13:35

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安森美 - ONSEMI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	361K
描述
N 沟道 RF 晶体管

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J211-D74Z 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	0.49	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

J211-D74Z 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

N-Channel RF Amplifier

J211, MMBFJ211

1. Drain

2. Source

3. Gate

Description

This device is designed for HF/VHF mixer/amplifier and

applications where process 50 is not adequate. Sufficient gain and

low−noise for sensitive receivers. Sourced from process 90.

Bent Lead

Tape & Reel

Ammo Packing

TO−92 3

CASE 135AR

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted) (Notes 1, 2)

Symbol

Parameter

Drain−Gate Voltage

Value

Unit

Gate−Source Voltage

Forward Gate Current

−25

°C

NOTE: Source & Drain are

interchangeable

T , T

Operating and Storage Junction

Temperature Range

−55 to 150

STG

SOT−23

CASE 318−08

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.

2. These are steady−state limits. onsemi should be consulted on applications

involving pulsed or low− duty−cycle operations.

MARKING DIAGRAM

211

YWW

THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Max

J211

(Note 3)

MMBFJ211

(Note 3)

62WM

Symbol

Parameter

Total Device Dissipation

Derate Above 25°C

Unit

350

2.8

225

1.8

−

J211−D74Z

MMBFJ211

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

Junction−to−Case

125

J211, 62W = Device Code

= Assembly Site

= Work Week Number

= Year of Production

= Date Code

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

357

556

°C/W

3. Device mounted on FR−4 PCB 36 mm x 18 mm x 1.5 mm; mounting pad for

the collector lead minimum 6 cm .

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 5 of

this data sheet.

Publication Order Number:

August, 2022 − Rev. 3

MMBFJ211/D

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
J211D75Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
J211D75Z	TI	获取价格	RF SMALL SIGNAL
J211-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
J211J05Z	TI	获取价格	RF SMALL SIGNAL
J211J18Z	TI	获取价格	RF SMALL SIGNAL
J211J18Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
J211L	VISHAY	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-2
J211L18	VISHAY	获取价格	Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-226AA
J211L-18	VISHAY	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
J211L18-1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A

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