IXTM6N90A

更新时间： 2024-11-11 22:11:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	107K
描述
Standard Power MOSFET

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IXTM6N90A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	1.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	180 W
最大功率耗散 (Abs)：	175 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	35	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTM6N90A 数据手册

V_DSS

I_D25R_DS(on)

Standard

IXTH / IXTM 6N90

IXTH / IXTM 6N90A

900V

6 A

1.8 Ω

1.4 Ω

Power MOSFET

N-ChannelEnhancementMode

Symbol

Test Conditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

900

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

D(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

TO-204 AA (IXTM)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

P_D

T_C= 25°C

180

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

G = Gate,

D = Drain,

S = Source,

TAB = Drain

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

Internationalstandardpackages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

Fast switching times

Symbol

Test Conditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

Motorcontrols

UninterruptiblePowerSupplies(UPS)

DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

900

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

250 µA

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

6N90

6N90A

1.8

1.4

Ω

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

91543E(5/96)

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTM75N10	IXYS	获取价格	MegaMOSFET
IXTM7N45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-204AC
IXTM7N45A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTM7N50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-204AC
IXTM7N50A	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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IXTM7P45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-3

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