IXTM6N80

更新时间： 2024-11-11 22:11:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	91K
描述
N-Channel Enhancement Mode

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IXTM6N80 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-3	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	1.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	180 W	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTM6N80 数据手册

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

Standard

Power MOSFET

IXTH/IXTM 6 N80 800 V 6 A 1.8 Ω

IXTH/IXTM 6 N80A 800 V 6 A 1.4 Ω

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

TO-204 AA (IXTM)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

P_D

T_C= 25°C

180

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

G = Gate,

D = Drain,

S = Source,

TAB = Drain

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

●

International standard packages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

Fast switching times

●

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

●

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

Motor controls

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

800

●

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

4.5

●

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

250 µA

V_DS= 0.8 • V_DSS

T_J= 25°C

Advantages

V_GS= 0 V

T_J= 125°C

●

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D256N80

6N80A

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

1.8

1.4

Ω

(isolated mounting screw hole)

Space savings

High power density

●

91542E(5/96)

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

IXYSCorporation

IXYSSemiconductor

3540 Bassett Street, Santa Clara,CA 95054

Tel: 408-982-0700 Fax: 408-496-0670

Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim, Germany

Tel: +49-6206-5030

Fax: +49-6206-503629

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTM6N80A	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTM6N90	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET
IXTM6N90A	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET
IXTM6P25	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-3
IXTM75N08	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTM75N10	IXYS	获取价格	MegaMOSFET
IXTM7N45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-204AC
IXTM7N45A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTM7N50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-204AC
IXTM7N50A	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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