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IXFH46N60X2A

更新时间： 2024-04-09 18:40:58

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力特 - LITTELFUSE		开关二极管
页数	文件大小	规格书
6页	773K
描述
MOSFET的本征快速体二极管HiPerFET展现出极强的软恢复特征，可最大限度地减少电磁干扰(EMI)，尤其是在半桥或全桥开关拓扑中。凭借较低的反向恢复电荷和时间，体二极管能够用于确保在高速开

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IXFH46N60X2A 数据手册

IXFH46N60X2A

Fig. 7. Maxing Drain Current vs. Case Temperature

Fig. 8. Input Admittance

T_J= 125^oC

25^oC

- 40^oC

-50

-25

100

125

150

3.5

4.5

5.5

6.5

7.5

8.5

T_C- Degrees Centigrade

V_GS- Volts

Fig. 10. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

Fig. 9. Transconductance

160

140

120

100

T_J= - 40^oC

25^oC

125^oC

T_J= 125^oC

T_J= 25^oC

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

1.2

V _SD- Volts

I _D- Amperes

Fig. 12. Capacitance

Fig. 11. Gate Charge

100,000

10,000

1,000

100

V_DS= 300V

I _D= 23A

I _G= 10mA

iss

oss

= 1 MHz

rss

100

1000

V_DS- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Littelfuse reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

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