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IXFH46N60X2A

更新时间： 2024-04-09 18:40:58

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力特 - LITTELFUSE		开关二极管
页数	文件大小	规格书
6页	773K
描述
MOSFET的本征快速体二极管HiPerFET展现出极强的软恢复特征，可最大限度地减少电磁干扰(EMI)，尤其是在半桥或全桥开关拓扑中。凭借较低的反向恢复电荷和时间，体二极管能够用于确保在高速开

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IXFH46N60X2A 数据手册

IXFH46N60X2A

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max

g_fs

V_DS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

Gate Input Resistance

R_Gi

0.9



C_iss

C_oss

C_rss

4570

2740

2.2

V_GS= 0V, V_DS= 25V, f = 1MHz

Effective Output Capacitance

C_o(er)

C_o(tr)

165

650

Energy related

Time related

V_GS= 0V

V_DS= 0.8 • V_DSS

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Resistive Switching Times

V_GS= 10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

R_G= 3 (External)

Q_g(on)

Q_gs

V_GS= 10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

Q_gd

R_thJC

R_thCS

0.19 C/W

C/W

0.21

Source-Drain Diode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max

I_S

V_GS= 0V

I_SM

V_SD

Repetitive, Pulse Width Limited by T_JM

I_F= I_S, V_GS= 0V, Note 1

184

1.4

t_rr

Q_RM

I_RM

180

1.5

16.5

I_F= 23A, -di/dt = 100A/µs

V_R= 100V

µC

Note 1. Pulse test, t  300s, duty cycle, d 2%.

Littelfuse reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

LFMOSFETs andIGBTsarecovered

by one or more of the following U.S. patents: 4,860,072 5,017,508

4,881,106 5,034,796

4,835,592

4,931,844

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123B1

6,306,728B1

6,404,065B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2 6,759,692

6,710,463

6,727,585

7,005,734B2 7,157,338B2

7,063,975B2

6,771,478B2 7,071,537

123 4 5 6

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