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IS66WVE4M16EBLL-70BLI

更新时间： 2024-02-01 21:40:43

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	482K
描述
Pseudo Static RAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-48

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IS66WVE4M16EBLL-70BLI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.71	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	8 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	48	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
反向引出线：	NO	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00015 A	最小待机电流：	2.7 V
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

IS66WVE4M16EBLL-70BLI 数据手册

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IS66/67WVE4M16EALL/BLL/CLL

IS66/67WVE4M16TALL/BLL/CLL

Signal Descriptions

All signals for the device are listed below in Table 1.

Table 1. Signal Descriptions

Symbol

VSS

Type

Description

Power Supply

All VSS supply pins must be connected to Ground

All VSSQ supply pins must be connected to Ground

VSSQ

DQ0~DQ15

A0~A21

LB#

Input / Output Data Inputs/Outputs (DQ0~DQ15)

Input

Address Input(A0~A21)

Lower Byte select

Upper Byte select

Chip Enable/Select

Output Enable

UB#

CE#

OE#

WE#

Write Enable

ZZ#

Sleep enable : When ZZ# is LOW, the CR can be loaded, or the device

can enter one of two low-power modes ( DPD or PAR).

 ALL: VDD 1.7V~1.95V, VDDQ 1.7V~1.95V

 BLL: VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V

 CLL: VDD 1.7V~1.95V, VDDQ 2.7V~3.6V

Rev. D1 | Junly 2017

www.issi.com - SRAM@issi.com

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