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IS66WVE4M16EBLL-70BLI

更新时间： 2024-01-25 22:01:17

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	482K
描述
Pseudo Static RAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-48

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IS66WVE4M16EBLL-70BLI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.71	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	8 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	48	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
反向引出线：	NO	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00015 A	最小待机电流：	2.7 V
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

IS66/67WVE4M16EALL/BLL/CLL

IS66/67WVE4M16TALL/BLL/CLL

Rev. D1 | Junly 2017

www.issi.com - SRAM@issi.com

1...31 32 3334

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR	ISSI	Pseudo Static RAM,	获取价格
IS66WVE4M16ECLL-70BLI	ISSI	Pseudo Static RAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-48	获取价格
IS66WVE4M16TALL-70BLI	ISSI	Pseudo Static RAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-48	获取价格
IS66WVE4M16TBLL-55BLI	ISSI	Pseudo Static RAM, 4MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-48	获取价格
IS66WVE4M16TBLL-70BLI	ISSI	Pseudo Static RAM, 4MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-48	获取价格
IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR	ISSI	Pseudo Static RAM,	获取价格