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IS62WV20488BLL-25MLI

更新时间： 2024-11-24 03:15:55

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美国芯成 - ISSI		/
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描述
2M x 8 HIGH-SPEED LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS62WV20488BLL-25MLI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,32	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	5.59	最长访问时间：	25 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	11 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.0015 A
最小待机电流：	1.2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.4 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	9 mm

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IS62WV20488ALL

IS62WV20488BLL

2M x 8 HIGH-SPEED LOW POWER

CMOS STATIC RAM

ISSI

PRELIMINARYINFORMATION

JULY2006

FEATURES

DESCRIPTION

• High-speed access times:

25, 35 ns

• High-performance, low-power CMOS process

• Multiple center power and ground pins for

greater noise immunity

• Fully static operation: no clock or refresh

required

The ISSI IS62WV20488ALL/BLL is a high-speed, low

power, 2M-word by 8-bit CMOS static RAM. The

IS62WV20488ALL/BLL is fabricated using ISSI's high-

performance CMOS technology. This highly reliable

process coupled with innovative circuit design tech-

niques, yields higher performance and low power con-

sumption devices.

When CS1 is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW

(deselected)orwhenCS1isLOW,CS2isHIGH,thedevice

assumes a standby mode at which the power dissipation

can be reduced down with CMOS input levels.

• TTL compatible inputs and outputs

• Single power supply

– VDD 1.65V to 2.2V (IS62WV20488ALL)

speed = 35ns for Vcc = 1.65V to 2.2V

– VDD 2.4V to 3.6V (IS62WV20488BLL)

speed = 25ns for Vcc = 2.4V to 3.6V

• Packages available:

The IS62WV20488ALL/BLL operates from a single

power supply and all inputs are TTL-compatible.

The IS62WV20488ALL/BLL is available in 48 ball mini

BGA and 44-pin TSOP (Type II) packages.

–

48-ball miniBGA (9mm x 11mm)

– 44-pin TSOP (Type II)

• Industrial Temperature Support

• Lead-free available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

2M X 8

MEMORY ARRAY

A0-A20

DECODER

VDD

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. 00B

06/21/06

12 3 4 5 6 7...16

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IS62WV20488BLL-25TLI	ISSI	获取价格	2M x 8 HIGH-SPEED LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV20488EALL	ISSI	获取价格	TTL compatible interface levels
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IS62WV25616BLL-55B	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48

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