Datasheet > 存储 > SRAM> IS62LV12816BLL-10TI

IS62LV12816BLL-10TI

更新时间： 2024-01-09 20:48:07

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	94K
描述
128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IS62LV12816BLL-10TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.91	最长访问时间：	100 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5/3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000005 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IS62LV12816BLL-10TI 数据手册

浏览型号IS62LV12816BLL-10TI的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IS62LV12816BLL-10TI的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IS62LV12816BLL-10TI的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IS62LV12816BLL-10TI的Datasheet PDF文件第7页

浏览型号IS62LV12816BLL-10TI的Datasheet PDF文件第8页

IS62LV12816BLL

ISSI

WRITE CYCLE NO. 4 (UB/LB Controlled)

ADDRESS 1

ADDRESS 2

ADDRESS

LOW

PBW

UB, LB

WORD 1

WORD 2

HZWE

LZWE

HIGH-Z

OUT

DATA UNDEFINED

DATAIN

VALID

DATAIN

VALID

DIN

UB_CSWR4.eps

DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS

Symbol

VDR

Parameter

TestCondition

Min.

Max.

3.45

Unit

Vcc for Data Retention

DataRetentionCurrent

Data Retention Setup Time

RecoveryTime

SeeDataRetentionWaveform

Vcc = 2.0V, CE • Vcc – 0.2V

SeeDataRetentionWaveform

1.5

—

IDR

µA

tSDR

—

tRDR

tRC

—

DATA RETENTION WAVEFORM (CE Controlled)

tSDR

Data Retention Mode

tRDR

VCC

2.3V

2.0V

VDR

CE ≥ VCC Ð 0.2V

GND

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. B

03/07/01

1...6 7 8910

下载PDF

与IS62LV12816BLL-10TI相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IS62LV12816BLL-55B	ISSI	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM	获取价格
IS62LV12816BLL-55BI	ISSI	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM	获取价格
IS62LV12816BLL-55T	ISSI	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM	获取价格
IS62LV12816BLL-55TI	ISSI	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM	获取价格
IS62LV12816BLL-70B	ISSI	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM	获取价格
IS62LV12816BLL-70BI	ISSI	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM	获取价格