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IS62LV12816L-100TI

更新时间： 2024-02-10 23:50:09

品牌	Logo	应用领域
矽成 - ICSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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10页	463K
描述
128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS62LV12816L-100TI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.91
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	CONFIGURABLE AS 128K X 16
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000025 A	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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IS62LV12816L

IS62LV12816LL

128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA

LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

The ICSIIS62LV12816L and IS62LV12816LL are high-speed,

2.097,152-bit static RAMs organized as 131,072 words by 16

bits. They are fabricated using ICSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with innova-

tive circuit design techniques, yields high-performance and

low power consumption devices.

High-speed access times: 55, 70, 100 ns

CMOS low power operation

-- 120 mW (typical) operating

-- 6 µW (typical) CMOS standby

TTL compatible interface levels

Single 2.7V-3.6V Vcc power supply

When CE is HIGH (deselected) or when CE is low and both LB

and UB are HIGH, the device assumes a standby mode at

which the power dissipation can be reduced by using CMOS

input levels.

Fully static operation: no clock or refresh re-

quired

Three state outputs

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

Output and Enable inputs, CE and OE. The active LOW Write

Enable (WE) controls both writing and reading of the memory.

A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)

access.

Data control for upper and lower bytes

Industrial temperature available

Available in the 44-pin TSOP-2 and 48-pin

6*8mm TF-BGA

The IS62LV12816L and IS62LV12816LL are packaged in the

JEDEC standare 44-pin 400mil TSOP-2 and 48-pin 6*8mm

TF-BGA.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

128K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

ICSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors

Integrated Circuit Solution Inc.

SR020-0C

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IS62LV12816L-10TI	ISSI	Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	获取价格
IS62LV12816L-120B	ISSI	128K x 16 CMOS STATIC RAM	获取价格
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