5秒后页面跳转

Datasheet > 存储 > SRAM> IS62LV12816BLL-10TI

IS62LV12816BLL-10TI PDF预览

IS62LV12816BLL-10TI

更新时间： 2024-01-18 17:36:08

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	94K
描述
128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IS62LV12816BLL-10TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.91	最长访问时间：	100 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5/3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000005 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IS62LV12816BLL-10TI 数据手册

浏览型号IS62LV12816BLL-10TI的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IS62LV12816BLL-10TI的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IS62LV12816BLL-10TI的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IS62LV12816BLL-10TI的Datasheet PDF文件第7页

浏览型号IS62LV12816BLL-10TI的Datasheet PDF文件第8页

浏览型号IS62LV12816BLL-10TI的Datasheet PDF文件第9页

®

IS62LV12816BLL

ISSI

AC WAVEFORMS

READ CYCLE NO. 1^(1,2)(Address Controlled) (CE = OE = VIL, UB or LB = VIL)

tRC

ADDRESS

tAA

tOHA

tOHA

DATA VALID

DOUT

PREVIOUS DATA VALID

AC WAVEFORMS

READ CYCLE NO. 2^(1,3)(CE, OE, AND UB/LB Controlled)

t

RC

ADDRESS

OE

t

AA

t

OHA

t

HZOE

t

DOE

LZOE

ACE

t

CE

t

t

HZCE

t

LZCE

LB, UB

t

BA

t

HZB

t

LZB

HIGH-Z

DOUT

DATA VALID

Notes:

1. WE is HIGH for a Read Cycle.

2. The device is continuously selected. OE, CE, UB, or LB = V^IL.

3. Address is valid prior to or coincident with CE LOW transition.

6

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. B

03/07/01

1...3 4 567 8 9 10

下载PDF

与IS62LV12816BLL-10TI相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IS62LV12816BLL-55B	ISSI	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM	获取价格
IS62LV12816BLL-55BI	ISSI	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM	获取价格
IS62LV12816BLL-55T	ISSI	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM	获取价格
IS62LV12816BLL-55TI	ISSI	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM	获取价格
IS62LV12816BLL-70B	ISSI	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM	获取价格
IS62LV12816BLL-70BI	ISSI	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM	获取价格

与IS62LV12816BLL-10TI相关文章

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证