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IS62LV12816ALL-10B

更新时间： 2024-10-02 20:45:59

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	83K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48

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IS62LV12816ALL-10B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	6 X 8 MM, MINI, BGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.91	最长访问时间：	100 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	8 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.35 mm	最大待机电流：	0.000005 A
最小待机电流：	2.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

IS62LV12816ALL-10B 数据手册

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IS62LV12816ALL

128K x 16 CMOS STATIC RAM

ISSI

MARCH 2001

FEATURES

DESCRIPTION

• High-speed access time: 55, 70, 100 ns

• CMOS low power operation

The ISSIIS62LV12816ALL is a high-speed, 2,097,152-bit

static RAM organized as 131,072 words by 16 bits. It is

fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance

and low power consumption devices.

– 120 mW (typical) operating

– 6 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

•

Single 2.5V (min.) to 3.45V (max.) power supply

• Fully static operation: no clock or refresh

required

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW

Write Enable (WE) controls both writing and reading of the

memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower

Byte (LB) access.

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• Available in the 44-pin TSOP (Type II) and

48-pin mini BGA (6mm x 8mm)

TheIS62LV12816ALLispackagedintheJEDECstandard

44-pinTSOP(TypeII)and48-pinminiBGA. (6mmx8mm)

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

128K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. A

04/17/01

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS62LV12816ALL-10BI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48
IS62LV12816BL-10BI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MINI, BGA-48
IS62LV12816BL-55B	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, MINI, BGA-48
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IS62LV12816BL-70B	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINI, BGA-48
IS62LV12816BL-70T	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS62LV12816BLL	ISSI	获取价格	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62LV12816BLL-10B	ISSI	获取价格	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
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