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IS62LV12816BL-10BI

更新时间： 2024-10-02 14:30:23

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	92K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MINI, BGA-48

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IS62LV12816BL-10BI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	MINI, BGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.91	最长访问时间：	100 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5/3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.000015 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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IS62LV12816BL/LL

128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA

LOW POWER CMOS STATIC RAM

ISSI

PRELIMINARY INFORMATION

FEBRUARY 2000

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS62LV12816BL and IS62LV12816BLL are

high-speed, 2,097,152-bit static RAMs organized as

131,072 words by 16 bits. They are fabricated using

ISSI's high-performance CMOS technology. This highly

reliable process coupled with innovative circuit design

techniques, yields high-performance and low power

consumption devices.

• High-speed access time: 55, 70, 100 ns

• CMOS low power operation

– 120 mW (typical) operating

– 6 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single 2.5V-3.0V V^CCpower supply

WhenCEisHIGH(deselected)orwhenCEislowandbothLBand

UBareHIGH,thedeviceassumesastandbymodeatwhichthe

powerdissipationcanbereduceddownwithCMOSinputlevels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

EasymemoryexpansionisprovidedbyusingChipEnableand

OutputEnableinputs,CEandOE.TheactiveLOWWriteEnable

(WE)controlsbothwritingandreadingofthememory.Adatabyte

allowsUpperByte(UB)andLowerByte(LB)access.

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• Available in the 44-pin TSOP (Type II) and

48-pin mini BGA

TheIS62LV12816BLandIS62LV12816BLLarepackagedinthe

JEDECstandard44-pinTSOP(TypeII)and48-pinminiBGA.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

128K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

This document contains PRELIMINARY INFORMATION data. ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

PRELIMINARY INFORMATION Rev. 00B

02/29/00

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IS62LV12816BL-55T	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS62LV12816BL-55TI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS62LV12816BL-70B	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MINI, BGA-48
IS62LV12816BL-70T	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS62LV12816BLL	ISSI	获取价格	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62LV12816BLL-10B	ISSI	获取价格	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62LV12816BLL-10BI	ISSI	获取价格	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62LV12816BLL-10T	ISSI	获取价格	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62LV12816BLL-10TI	ISSI	获取价格	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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