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IS62LV12816BLL-10TI

更新时间： 2024-02-27 04:52:10

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	94K
描述
128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS62LV12816BLL-10TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.91	最长访问时间：	100 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5/3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000005 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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IS62LV12816BLL

128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA

LOW POWER CMOS STATIC RAM

ISSI

FEBRUARY 2001

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSIIS62LV12816BLL is a high-speed, 2,097,152-bit

static RAM organized as 131,072 words by 16 bits. It is

fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance

and low power consumption devices.

• High-speed access time: 55, 70, 100 ns

• CMOS low power operation

– 120 mW (typical) operating

– 6 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single 2.7V-3.45V V^CCpower supply

When CE is HIGH (deselected) or when CE is low and

both LB and UB are HIGH, the device assumes a standby

modeatwhichthepowerdissipationcanbereduceddown

with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW

Write Enable (WE) controls both writing and reading of the

memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower

Byte (LB) access.

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• Available in the 44-pin TSOP (Type II) and

48-pin mini BGA (6mm x 8mm)

TheIS62LV12816BLLispackagedintheJEDECstandard

44-pinTSOP(TypeII)and48-pinminiBGA(6mmx8mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

128K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. B

03/07/01

12 3 4 5 6 7...10

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