是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.91 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 100 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA48,6X8,30 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5/3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.000005 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS62LV12816BLL-10BI | ISSI |
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128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62LV12816BLL-10T | ISSI |
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128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62LV12816BLL-10TI | ISSI |
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128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62LV12816BLL-55B | ISSI |
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128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62LV12816BLL-55BI | ISSI |
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128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62LV12816BLL-55T | ISSI |
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128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62LV12816BLL-55TI | ISSI |
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128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62LV12816BLL-70B | ISSI |
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128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62LV12816BLL-70BI | ISSI |
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128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS62LV12816BLL-70T | ISSI |
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128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |