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IS61NSCS25672-200B

更新时间： 2024-11-11 14:51:39

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
33页	161K
描述
Standard SRAM, 256KX72, 3.1ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209

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IS61NSCS25672-200B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209	针数：	209
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	3.1 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B209
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	72	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	209
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA209,11X19,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.5/1.8,1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.2 mm	最小待机电流：	1.7 V
子类别：	SRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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IS61NSCS25672

IS61NSCS51236

ISSI

ADVANCE INFORMATION

SRAM 256K X 72, 512K X 36

JUNE 2002

18MB SYNCHRONOUS SRAM

FEATURES

• JEDEC SigmaRam pinout and package standard

• Single 1.8V power supply (V^CC): 1.7V (min)

to 1.9V (max)

• Dedicated output supply voltage (V^CCQ): 1.8V

or 1.5V typical

• LVCMOS-compatibleI/Ointerface

• Common data I/O pins (DQs)

• Single Data Rate (SDR) data transfers

• Pipelined (PL) read operations

• Double Late Write (DLW) write operations

• Burst and non-burst read and write operations,

selectable via dedicated control pin (ADV)

• Internally controlled Linear Burst address

sequencing during burst operations

Bottom View

209-Ball, 14 mm x 22 mm BGA

• Full read/write coherency

• Byte write capability

1 mm Ball Pitch, 11 x 19 Ball Array

• Two cycle deselect

SIGMARAM FAMILY OVERVIEW

• Single-ended input clock (CLK)

• Data-referenced output clocks (CQ/CQ)

The IS61NSCS series SRAMs are built in compliance

with the SigmaRAM pinout standard for synchronous

SRAMs. The implementations are 18,874,368-bit (18Mb)

SRAMs. These are the first in a family of wide, very low

voltage CMOS I/O SRAMs designed to operate at the

speeds needed to implement economical high perfor-

• Selectable output driver impedance via dedicated

control pin (ZQ)

• Echo clock outputs track data output drivers

mance

networking

• Depth expansion capability (2 or 4 banks) via

programmable chip enables (E2, E3, EP2, EP3)

systems.

ISSIs SRAMs are offered in a number of configurations that

emulate other synchronous SRAMs, such as Burst RAMs,

NBTRAMs, LateWrite, orDoubleDataRate(DDR)SRAMs.

The logical differences between the protocols employed by

these RAMs hinge mainly on various combinations of

address bursting, output data registering and write cueing.

• JTAG boundary scan (subset of IEEE standard

1149.1)

• 209 Ball (11x19), 1mm pitch, 14mm x 22mm Ball

Grid Array (BGA) package

SRAMs allow a user to implement the interface protocol best

suited to the task at hand.

This specific product is Common I/O, SDR, Double Late

Write & Pipelined Read (same as Pipelined NBT) and in

the family is identified as 1x1Dp.

assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device

specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

ADVANCE INFORMATION Rev. 00B

06/13/02

12 3 4 5 6 7...33

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61NSCS25672-225B	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX72, 2.6ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
IS61NSCS25672-250B	ISSI	获取价格	RAM 256K x 72, 512K x 36 18Mb Synchronous SRAM
IS61NSCS25672-300B	ISSI	获取价格	RAM 256K x 72, 512K x 36 18Mb Synchronous SRAM
IS61NSCS25672-333B	ISSI	获取价格	RAM 256K x 72, 512K x 36 18Mb Synchronous SRAM
IS61NSCS51236	ISSI	获取价格	RAM 256K x 72, 512K x 36 18Mb Synchronous SRAM
IS61NSCS51236-250B	ISSI	获取价格	RAM 256K x 72, 512K x 36 18Mb Synchronous SRAM
IS61NSCS51236-300B	ISSI	获取价格	RAM 256K x 72, 512K x 36 18Mb Synchronous SRAM
IS61NSCS51236-333B	ISSI	获取价格	RAM 256K x 72, 512K x 36 18Mb Synchronous SRAM
IS61NVF102418	ISSI	获取价格	256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM
IS61NVF102418-6.5B3	ISSI	获取价格	256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM

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