5秒后页面跳转
IS61LV632A-4.5TQ PDF预览

IS61LV632A-4.5TQ

更新时间: 2024-01-20 06:14:46
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 828K
描述
Cache SRAM, 32KX32, 4.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IS61LV632A-4.5TQ 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP,针数:100
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.89
最长访问时间:4.5 nsJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0长度:20 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:100
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX32
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm
Base Number Matches:1

IS61LV632A-4.5TQ 数据手册

 浏览型号IS61LV632A-4.5TQ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS61LV632A-4.5TQ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS61LV632A-4.5TQ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS61LV632A-4.5TQ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS61LV632A-4.5TQ的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS61LV632A-4.5TQ的Datasheet PDF文件第7页 

与IS61LV632A-4.5TQ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS61LV632A-4PQ ISSI

获取价格

32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM
IS61LV632A-4TQ ISSI

获取价格

32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM
IS61LV632A-5.5PQ ISSI

获取价格

Cache SRAM, 32KX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100
IS61LV632A-5.5PQI ISSI

获取价格

Cache SRAM, 32KX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100
IS61LV632A-5.5TQ ISSI

获取价格

Cache SRAM, 32KX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IS61LV632A-5PQ ISSI

获取价格

32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM
IS61LV632A-5TQ ISSI

获取价格

32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM
IS61LV632A-6PQ ISSI

获取价格

32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM
IS61LV632A-6PQI ISSI

获取价格

32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM
IS61LV632A-6TQ ISSI

获取价格

32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM