5秒后页面跳转
IS61LV632A-5.5PQI PDF预览

IS61LV632A-5.5PQI

更新时间: 2024-09-24 20:06:11
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 828K
描述
Cache SRAM, 32KX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100

IS61LV632A-5.5PQI 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:QFP,针数:100
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.89
Is Samacsys:N最长访问时间:5.5 ns
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:20 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:100字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX32输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.22 mm最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:14 mmBase Number Matches:1

IS61LV632A-5.5PQI 数据手册

 浏览型号IS61LV632A-5.5PQI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS61LV632A-5.5PQI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS61LV632A-5.5PQI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS61LV632A-5.5PQI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS61LV632A-5.5PQI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS61LV632A-5.5PQI的Datasheet PDF文件第7页 

与IS61LV632A-5.5PQI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS61LV632A-5.5TQ ISSI

获取价格

Cache SRAM, 32KX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IS61LV632A-5PQ ISSI

获取价格

32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM
IS61LV632A-5TQ ISSI

获取价格

32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM
IS61LV632A-6PQ ISSI

获取价格

32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM
IS61LV632A-6PQI ISSI

获取价格

32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM
IS61LV632A-6TQ ISSI

获取价格

32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM
IS61LV632A-6TQI ISSI

获取价格

32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM
IS61LV632A-7PQ ISSI

获取价格

32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM
IS61LV632A-7PQI ISSI

获取价格

32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM
IS61LV632A-7TQ ISSI

获取价格

32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM