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IS61LV6416-10K

更新时间： 2024-09-24 23:01:19

品牌	Logo	应用领域
矽成 - ICSI		内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	451K
描述
64K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3 V SUPPLY

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IS61LV6416-10K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOJ, SOJ44,.44	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	最长访问时间：	10 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J44
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
端子数量：	44	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ44,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IS61LV6416-10K 数据手册

IS61LV6416

64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

WITH 3.3V SUPPLY

FEATURES

DESCRIPTION

The ICSI IS61LV6416 is a high-speed, 1,048,576-bit static

RAM organized as 65,536 words by 16 bits. It is fabricated

using ICSI's high-performance CMOS technology. This highly

reliable process coupled with innovative circuit design

techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power

consumption.

High-speed access time: 8, 10, 12, and 15 ns

CMOS low power operation

250 mW (typical) operating

250 µW (typical) standby

TTL compatible interface levels

Single 3.3V power supply

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby

mode at which the power dissipation can be reduced down with

CMOS input levels.

Fully static operation: no clock or refresh

required

Three state outputs

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable and

Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW Write

Enable (WE) controls both writing and reading of the memory.

A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)

access.

Data control for upper and lower bytes

Industrial temperature available

The IS61LV6416 is packaged in the JEDEC standard 44-pin

400mil SOJ, 44-pin 400mil TSOP-2, and 48-pin 6*8mm TF-

BGA.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

64K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A15

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

ICSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors

Integrated Circuit Solution Inc.

SR013-0C

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61LV6416-10KI	ICSI	获取价格	64K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3 V SUPPLY
IS61LV6416-10KI	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS61LV6416-10KLI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, 0.400 INCH, PLASTIC, MS-027, SOJ-44
IS61LV6416-10KLI-TR	ISSI	获取价格	IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
IS61LV6416-10T	ICSI	获取价格	64K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3 V SUPPLY
IS61LV6416-10T	ISSI	获取价格	64KX16 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
IS61LV6416-10TI	ICSI	获取价格	64K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3 V SUPPLY
IS61LV6416-10TI	ISSI	获取价格	64KX16 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
IS61LV6416-10TI-TR	ISSI	获取价格	IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
IS61LV6416-10TL	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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